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安阳瑞金金属材料有限公司

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河南碳化硅厂分析发展瓶颈

发布时间:2019-03-13

       碳化硅质地坚硬,我们生活中所见到的碳化硅大多是人工制造而成的,但其质量也是很好的。碳化硅在冶金、航天、器件等领域都有着广泛的应用,而且根据不同的品种其特点也是不同的,在使用时应当结合不同的应用情况来选择不同品种的碳化硅。但是碳化硅在器件领域发展中也受到了一些瓶颈,我们跟随河南碳化硅厂来分析一下。
       碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一种肉眼都可以看得见的宏观缺陷,在碳化硅晶体生长技术发展到能彻底减少微管缺陷之前,大功率电力电子器件难以用碳化硅来制造。尽管优质晶片的微管密度已达到不超过15cm-2的水平。但器件制造要求直径超过100mm的碳化硅晶体,微管密度低于0.5cm-2。
       外延工艺效率低。碳化硅的气相同质外延一般要在1500℃以上的高温下进行。由于有升华的问题,温度不能太高,一般不能超过1800℃,因而生长速率较低。液相外延温度较低、速率较高,但产量较低。
       掺杂工艺有特殊要求。如用扩散方法进行惨杂,碳化硅扩散温度远高于硅,此时掩蔽用的SiO2层已失去了掩蔽作用,而且碳化硅本身在这样的高温下也不稳定,因此不宜采用扩散法掺杂,而要用离子注入掺杂。如果p型离子注入的杂质使用铝。

 

河南碳化硅


       常见的碳化硅有黑碳化硅、绿碳化硅等,它们是铸件和磨料中常见的原料,而且碳化硅有着良好的耐高温性能,在一些耐高温材料的制作中有着良好的效用。随着科技领域的快速发展,碳化硅也逐渐在这些器件、飞机、宇宙飞船材质的制造中得到了广泛应用,如果您想了解更多,可以来电咨询我们,我们河南碳化硅厂将为您提供更多资讯。

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